AOB266L 与 IPB029N06N3 G 区别
| 型号 | AOB266L | IPB029N06N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB266L | A-IPB029N06N3 G |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 20 | - |
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.2mΩ@10V | 2.3mΩ |
| 零件号别名 | - | IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052 |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 120ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 3.8mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 165nC |
| Qgd(nC) | 7 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 75S |
| Td(on)(ns) | 21 | - |
| 封装/外壳 | TO-263 | - |
| 连续漏极电流Id | 140A | 120A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| Ciss(pF) | 5650 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 20ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 高度 | - | 4.4mm |
| Trr(ns) | 27 | - |
| Td(off)(ns) | 36 | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 268W | 188W |
| Qrr(nC) | 145 | - |
| VGS(th) | 3.2 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 62 ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 典型接通延迟时间 | - | 35ns |
| Coss(pF) | 720 | - |
| Qg*(nC) | 65* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PHB191NQ06LT,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPB029N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PHB191NQ06LT,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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