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AOB266L  与  IPB029N06N3 G  区别

型号 AOB266L IPB029N06N3 G
唯样编号 A-AOB266L A-IPB029N06N3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
宽度 - 9.25mm
零件号别名 - IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
ESD Diode No -
上升时间 - 120ns
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
Qg-栅极电荷 - 165nC
Qgd(nC) 7 -
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 PG-TO263-3
连续漏极电流Id 140A 120A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 5650 -
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 20ns
Schottky Diode No -
导通电阻Rds(On) 3.2mΩ@10V 2.3mΩ
高度 - 4.4mm
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
功率耗散Pd 268W 188W
漏源极电压Vds 60V 60V
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
典型关闭延迟时间 - 62 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 35ns
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.6mΩ@10V 230W 175°C 3V 60V 75A

¥17.2514 

阶梯数 价格
800: ¥17.2514
0 对比
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3

暂无价格 0 对比
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.2mΩ@10V 306W 175°C 3V 60V 100A

¥17.3445 

阶梯数 价格
800: ¥17.3445
0 对比
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V 300W 175°C 1.5V 55V 75A

暂无价格 0 对比

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